脈沖激光沉積的特點及優(yōu)勢介紹
更新時間：2020-07-14 點擊次數：1060
脈沖激光沉積是將激光聚焦于靶材上一個較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運動，進而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。
在眾多的薄膜制備方法中，激光沉積技術的應用較為廣泛，可用來制備金屬、半導體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質薄膜，甚至還用來制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。
脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：生長室，進樣室可選；水平、垂直兩種靶臺可選；激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光加熱溫度1200℃；工藝氣路可以任意搭配；其它可選項如臭氧發(fā)生器，離子源，掩膜系統(tǒng)等。
脈沖激光沉積系統(tǒng)特點及優(yōu)勢：可根據客戶需求定制產品，靈活性高，并提供專業(yè)的技術支持；靶臺可以安裝6個靶位，靶材更換靈活；樣品臺樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用；進樣室可以存儲多個靶和樣品。
特點：1.系統(tǒng)可根據客戶的特殊要求設計，操作簡單方便，可使用大尺寸靶材生長大面積薄膜；
2.電拋光腔體，主腔呈方形，其前部是鉸鏈門，方便更換基底和靶材；
3.雙軸磁性耦合旋轉靶材操縱器，可手動或計算機控制選定靶材。磁力桿傳送基底到基底旋轉器上，可手動或電動降低旋轉器，實現簡單快速地更換；
4.主腔室預留備用的腔口，如用于觀察靶材和基底，安裝原子吸收或發(fā)射光譜儀、原位橢偏儀、離子槍或磁控濺射源、殘留氣體分析器和離子探針或其他的元件等等。
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