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脈沖激光沉積分子束外延鍍膜系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:脈沖激光沉積分子束外延鍍膜系統(tǒng)
優(yōu)異的性能, PVD公司生產(chǎn)的脈沖激光沉積分子束外延系統(tǒng)在國(guó)內(nèi)有較多用戶(hù),為眾多老師開(kāi)啟薄膜外延制備的新篇章。歡迎前來(lái)參觀(guān)咨詢(xún)。

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  • 廠(chǎng)商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2025-02-27
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脈沖激光沉積分子束外延鍍膜系統(tǒng)


優(yōu)異的性能, PVD公司生產(chǎn)的脈沖激光沉積分子束外延系統(tǒng)在國(guó)內(nèi)有較多用戶(hù),為眾多老師開(kāi)啟薄膜外延制備的新篇章。歡迎前來(lái)參觀(guān)咨詢(xún)。
主腔室,樣品傳輸腔,1100度加熱系統(tǒng),樣品旋轉(zhuǎn),PLD靶材操控器及光路,K-cell熱蒸發(fā)源,電子束蒸發(fā)源,射頻RF離子源

PVD公司是美國(guó)主要制造商,是一家專(zhuān)業(yè)從事脈沖激光沉積分子束外延(PLD MBE)和超高真空薄膜沉積系統(tǒng)及組件的設(shè)計(jì)和制造的公司,提供超高真空薄膜沉積系統(tǒng),應(yīng)用于分子束外延、UHV濺射和脈沖激光沉積。產(chǎn)品主要集中在小型研究開(kāi)發(fā)系統(tǒng),其應(yīng)用主要包括:
用分子束外延進(jìn)行半導(dǎo)體材料、ZnO、GaN、SiGe和金屬/氧化物外延生長(zhǎng);
UHV磁控濺射磁性薄膜;
脈沖激光沉積超導(dǎo)薄膜、氧化物和陶瓷材料。

脈沖激光沉積分子束外延鍍膜系統(tǒng)應(yīng)用主要包括:

分子束外延系統(tǒng)(MBE)
GaAs、InP和GaSb外延
HgCdTe外延
GaN、InN和AlN外延
Ⅱ-Ⅵ族外延
SiGe外延
Si/金屬/氧化物外延

超高真空物理氣相沉積(PVD)系統(tǒng)
磁控濺射系統(tǒng)
脈沖激光沉積(PLD)系統(tǒng)
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
離子束沉積系統(tǒng)
熱蒸發(fā)系統(tǒng)

已經(jīng)在全球范圍內(nèi)安裝了超過(guò)100套的超高真空系統(tǒng)。絕大部分的產(chǎn)品都是針對(duì)用戶(hù)定制設(shè)計(jì)復(fù)雜的沉積系統(tǒng)。在標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)制造業(yè)中有著深厚的為用戶(hù)定制設(shè)計(jì)的背景,在用戶(hù)中具有很好的聲譽(yù)。許多的標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)最初都是起源于針對(duì)某些客戶(hù)對(duì)沉積過(guò)程特殊需求的解決方案,與廣大的中國(guó)用戶(hù)開(kāi)展更為廣泛的交流與合作,為廣大的中國(guó)用戶(hù)提供國(guó)際PLD MBE和超高真空薄膜沉積系統(tǒng)制造商的產(chǎn)品和服務(wù)。


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